Fulmomemoro: Malsamoj inter versioj

Browse history interactively

[kontrolita revizio]

← Iru al antaŭa ŝanĝo Iru al sekvanta ŝanĝo →

Enhavo forigita Enhavo aldonita

VidaVikiteksto

Enteksta

Kiel registrite je 19:19, 16 nov. 2017

Fulmomemoro – speco de memoro (RAM), kiu konservas datumojn ankaŭ sen elektro kaj, diference de memordiskoj uzas icojn kaj ne havas moviĝantajn partojn. Pro la lasta kvalito fulmomemoro estas unu el plej fidindaj specoj de memoro.

Historia skizo

La terminon "fulmmemoro" (angle flash memory) inventis en junio 1984 Shoji Arizumi, laboranto de la firmao Toshiba. Tio okazis post kiam lia estro, doktoro Fujio Masuoka, sendis al konferenco IEDEM, okazanta en San-Francisko, anoncon pri nova speco de energi-nedependa memoro. Inventinto de la memoro priskribis du arkitekturojn de la memoro: NOR kaj NAND. Sed amas-produktadon de fulmmemoro lanĉis la firmao Intel en 1988.

Tamen unuaj icoj de energi-nedependa memoro aperis pli frue ol estis inventita la termino fulmomemoro. En 1956 laboranto de la firmao American Bosch Arma Wen Chow unuafoje patentis programeblan memoron OTPROM. Tiam ankoraŭ ne ekzistis icoj, kaj bloko de OTPROM konsistis el matrico kun fandeblaj kondukiloj. Dum la programado la kondukiloj estis detruataj per uzo de alta tensio.

La sekva etapo de evoluigo de energi-nedependa memoro komenciĝis en 1967, kiam estis prezentita specimeno de EPROM – multfoje programebla memoro. La specon de memoro prezentis Bell Labs. En 1971 (samtempe kun la unua procesoro) la firmao Intel inventis unuan komercan specimenon de EPROM: la icojn 1701 kaj 170, kiuj estis reprogrameblaj per ultraviola radiado tra speciala fenestreto. La speco de EPROM ricevis la nomon UV-EPROM. Similaj icoj de fulmomemoro estis produktataj ĝis mezo de 90-jaroj.

En 1974 la firmao Intel lanĉis la produktadon de la ico EEPROM 2816. La esplorojn pri perelektre reprogramebla memoro gvidis Ĝorĝ Prelegos kaj ĝuste tiuj ĉi icoj estis rektaj prauloj de la nunaj specoj de fulmomemoro. Bazo de EPROM kaj EEPROM estas transistoro kun glitanta direktilo, kiun inventis ĉe Intel Don Froĥman. Kaj en postaj jaroj, malgraŭ evoluo de teknologioj, principoj de funkciado de fulmmemoro ne ŝanĝiĝis.

@@ Linio 1: / Linio 1: @@
 [[Dosiero:USB_flash_drive.JPG|thumb|right|300px|USB-a fulm-memora flankaparato]]
-'''Fulmmemoro''' – speco de memoro ([[RAM]]), kiu konservas datumojn ankaŭ sen elektro kaj, diference de [[memordisko]]j uzas [[ico]]jn kaj ne havas moviĝantajn partojn. Pro la lasta kvalito fulmmemoro estas unu el plej fidindaj specoj de memoro.
+'''Fulmomemoro''' – speco de memoro ([[RAM]]), kiu konservas datumojn ankaŭ sen elektro kaj, diference de [[memordisko]]j uzas [[ico]]jn kaj ne havas moviĝantajn partojn. Pro la lasta kvalito fulmomemoro estas unu el plej fidindaj specoj de memoro.
 == Historia skizo ==
 La terminon "fulmmemoro" (angle ''flash memory'') inventis en junio [[1984]] Shoji Arizumi, laboranto de la firmao [[Toshiba]]. Tio okazis post kiam lia estro, doktoro Fujio Masuoka, sendis al konferenco [[IEDEM]], okazanta en San-Francisko, anoncon pri nova speco de energi-nedependa memoro. Inventinto de la memoro priskribis du arkitekturojn de la memoro: NOR kaj NAND. Sed amas-produktadon de fulmmemoro lanĉis la firmao [[Intel]] en [[1988]].
-Tamen unuaj icoj de energi-nedependa memoro aperis pli frue ol estis inventita la termino fulmmemoro. En [[1956]] laboranto de la firmao [[American Bosch Arma]] Wen Chow unuafoje patentis programeblan memoron [[OTPROM]]. Tiam ankoraŭ ne ekzistis icoj kaj bloko de [[OTPROM]] konsistis el matrico kun fandeblaj kondukiloj. Dum la programado la kondukiloj estis detruataj per uzo de alta tensio.
+Tamen unuaj icoj de energi-nedependa memoro aperis pli frue ol estis inventita la termino fulmomemoro. En [[1956]] laboranto de la firmao [[American Bosch Arma]] Wen Chow unuafoje patentis programeblan memoron [[OTPROM]]. Tiam ankoraŭ ne ekzistis icoj, kaj bloko de [[OTPROM]] konsistis el matrico kun fandeblaj kondukiloj. Dum la programado la kondukiloj estis detruataj per uzo de alta tensio.
-La sekva etapo, de evoluigo de energi-nedependa memoro, komenciĝis en [[1967]], kiam estis prezentita specimeno de [[EPROM]] – multfoje programebla memoro. La specon de memoro prezentis [[Bell Labs]]. En [[1971]] (samtempe kun la unua [[procesoro]]) la firmao [[Intel]] inventis unuan komercan specimenon de [[EPROM]]: la icojn ''1701'' kaj ''170'', kiuj estis reprogrameblaj per ultraviola radiado tra speciala fenestreto. La speco de [[EPROM]] ricevis la nomon [[UV-EPROM]]. Similaj icoj de fulmmemoro estis produktataj ĝis mezo de 90-jaroj.
+La sekva etapo de evoluigo de energi-nedependa memoro komenciĝis en [[1967]], kiam estis prezentita specimeno de [[EPROM]] – multfoje programebla memoro. La specon de memoro prezentis [[Bell Labs]]. En [[1971]] (samtempe kun la unua [[procesoro]]) la firmao [[Intel]] inventis unuan komercan specimenon de [[EPROM]]: la icojn ''1701'' kaj ''170'', kiuj estis reprogrameblaj per ultraviola radiado tra speciala fenestreto. La speco de [[EPROM]] ricevis la nomon [[UV-EPROM]]. Similaj icoj de fulmomemoro estis produktataj ĝis mezo de 90-jaroj.
-En [[1974]] la firmao [[Intel]] lanĉis la produktadon de la ico [[EEPROM]] '''2816'''. La esplorojn pri perelektre reprogramebla memoro gvidis [[Ĝorĝ Prelegos]] kaj ĝuste tiuj ĉi icoj estis rektaj prauloj de la nunaj specoj de fulmmemoro. Bazo de [[EPROM]] kaj [[EEPROM]] estas [[transistoro]] kun glitanta direktilo, kiun inventis en [[Intel]] [[Don Froĥman]]. Kaj en postaj jaroj, malgraŭ evoluo de teknologioj, principoj de funkciado de fulmmemoro ne ŝanĝiĝis.
+En [[1974]] la firmao [[Intel]] lanĉis la produktadon de la ico [[EEPROM]] '''2816'''. La esplorojn pri perelektre reprogramebla memoro gvidis [[Ĝorĝ Prelegos]] kaj ĝuste tiuj ĉi icoj estis rektaj prauloj de la nunaj specoj de fulmomemoro. Bazo de [[EPROM]] kaj [[EEPROM]] estas [[transistoro]] kun glitanta direktilo, kiun inventis ĉe [[Intel]] [[Don Froĥman]]. Kaj en postaj jaroj, malgraŭ evoluo de teknologioj, principoj de funkciado de fulmmemoro ne ŝanĝiĝis.
 [[Kategorio:Komputiko]]