Diodo

Diodo
aktiva elektronika ero nonlinear electrical element (en) speco de elektronika komponanto unilateral electronic component (en)
Dum	nekonata - nekonata/nuntempe

Diversaj diodoj

Diodo (de greka Di — du, kaj Hodos — vojo) funkcias kiel elektronika versio de unu-direkta valvo. Per restriktado de la direkto de movado de ŝarĝoportantoj, ĝi allasas elektran kurenton flui en unu direkton, sed blokas ĝian fluon en la alian direkton.

La karakteraĵo de kurent-tensio aŭ I-V de diodo povas esti alproksimita per du regionoj de operacio. Sub certa diferenco de potencialo inter ties du dratoj, diodo povas esti imagata kiel malferma (ne-konduktiva) cirkvito. Dum la potenciala diferenco pligrandiĝas, en iu nivelo la diodo konduktiviĝas kaj ebligas trafluon de kurento. En tiu ĉi punkto ĝi povas esti imagata kiel kontakto kun nula (aŭ tre malalta) rezistanco .Hodiaŭ, la plej multaj diodoj estas faritaj el silicio, sed ankaŭ aliaj duonkonduktaj materialoj, kiel ekzemple galium-arsenido (GaAs) kaj germaniumo, estas uzataj.

Oni foje konas diodojn kiel rektifilojn pro ilia uzado por rektifi elektran alternan kurenton en rektan kurenton per forigo de la negativa parto de la kurento. Speciala aranĝo el kvar diodoj, kiu transformas alternan kurenton en la rektan uzante ambaŭ fazojn de la alterna kurento estas konata kiel dioda ponto aŭ unu-faza ponta rektifilo.

Ĉefaj funkcioj

Unudirekta fluo de kurento

La plej ofta funkcio de diodo estas permesi al elektra kurento pasi en unu direkto (nomata la rekta direkto de la diodo), dum ĝi blokas ĝin en la kontraŭa direkto (la inversa direkto). Ĝia hidraŭlika analogo estas unudirekta valvo. Ĉi tiu unudirekta konduto povas konverti alternan kurenton (AC) al kontinua kurento (DC) – procezo nomata rektifado. Kiel rektifiloj, diodoj povas esti uzataj por taskoj kiel ekzemple elpreni moduladon el radiosignaloj en radioriceviloj.

Sojla tensio

Kurbo de rekta kurento kontraŭ tensio por 4 oftaj duonkonduktilaj diodoj.

Kurent-tensia kurbo de termiona diodo

Lum-eligantaj diodoj

La konduto de diodo ofte estas simpligita tiel, ke oni atribuas al ĝi sojlan tension (aŭ ekfunkciigan tension), super kiu fluas signifa kurento kaj sub kiu fluas preskaŭ neniu kurento; tiu valoro dependas de la konsisto de la diodo:

Antaŭen sojla tensio por diversaj duonkonduktaĵaj diodoj

Diodotipo	Antaŭen sojla tensio
Silicia Schottky diodo	0.15 V ĝis 0.45 V
Germaniuma p–n	0.25 V ĝis 0.3 V
Silicia p–n	0.6 V ĝis 0.7 V
Infraruĝa (GaAs) p–n	~1.2 V
Lum-eligantaj diodoj (LED-oj)	1.6 V (ruĝa) ĝis 4 V (viola). Kun diversaj materialoj.

Ĉi tiu tensio povas esti malstrikte nomata simple la rekta tensiofalo de la diodo aŭ nur tensiofalo, ĉar sekvo de la kruteco de la eksponenta kurbo estas, ke la tensiofalo de diodo ne signife superos la sojlan tension sub normalaj funkciaj kondiĉoj de rekta polarizo. Teknikaj datumfolioj kutime indikas tipan aŭ maksimuman rektan tension (V_F) por difinitaj kurento kaj temperaturo (ekz. 20 mA kaj 25 °C por lum-elsendaj diodoj (LED-oj)), tiel ke la uzanto havas garantion pri tio, kiam certa kurento ekfluos. Ĉe pli altaj kurentoj, la rekta tensiofalo de la diodo pliiĝas. Ekzemple, falo de 1 V ĝis 1,5 V estas tipa ĉe la plena nominala kurento por siliciaj potenc-diodoj.

Tamen, la eksponenta karakterizo de kurento kontraŭ tensio ĉe duonkonduktanta diodo estas fakte pli laŭgrada ol tiu simpla ŝalt-konduto (ŝaltita/malŝaltita). Kvankam la grafeo de la funkcio ŝajnas havi difinitan "kurb-angulon" ĉe tiu sojlo, tio nur spegulas ĝian eksponentan naturon; tiu regiono ne havas unikan econ, kiu distingus ĝin de aliaj partoj de la grafeo (kion oni povas vidi per duonlogaritma diagramo, kie la kurento estas prezentita laŭ logaritma skalo kaj la tensio laŭ lineara skalo).

Ĉar la falo de rekta tensio ĉe diodo varias nur iomete laŭ la kurento, kaj dependas pli forte de la temperaturo, oni povas utiligi tiun efikon kiel temperatursensilon aŭ kiel iom malprecizan tensi-referencon.

Malantaŭa trarompo

La alta rezistanco de diodo kontraŭ kurento fluanta en la inversa direkto subite malpliiĝas al malalta rezistanco, kiam la inversa tensio tra la diodo atingas valoron nomatan trarompa tensio. Tiu efiko estas uzata por reguligi tension (Zener-diodoj) aŭ por protekti cirkvitojn kontraŭ altaj tensi-ekmultiĝoj (lavangaj diodoj).

Aliaj funkcioj

La kurent-tensia karakterizaĵo de duonkondukta diodo povas esti adaptita per elekto de la duonkonduktaj materialoj kaj la dopaj malpuraĵoj enmetitaj en la materialojn dum fabrikado. Ĉi tiuj teknikoj estas uzataj por krei specialcelajn diodojn, kiuj plenumas multajn malsamajn funkciojn. Ekzemple, por elektronike agordi radio- kaj televid-ricevilojn (varaktordiodoj), por generi radiofrekvencajn oscilojn (tuneldiodoj, Gunn-diodoj, IMPATT-diodoj), kaj por produkti lumon (lum-elsendantaj diodoj). Tunelaj, Gunn- kaj IMPATT-diodoj montras negativan reziston, kiu estas utila en mikroondaj kaj ŝaltilaj cirkvitoj.

Diodoj, kaj vakuaj kaj duonkonduktaj, povas esti uzataj kiel generatoroj de pafbruo.

Historio

Termionaj (vakutubaj) diodoj kaj solid-stataj (duonkonduktilaj) diodoj estis evoluigitaj aparte, proksimume samtempe en la komenco de la 20-a jarcento, kiel detektiloj por radioriceviloj. Ĝis la 1950-aj jaroj, vakuaj diodoj estis pli ofte uzataj en radioj, ĉar la fruaj punktokontaktaj duonkonduktilaj diodoj estis malpli stabilaj. Krome, la plej multaj riceviloj uzis vakutubojn por amplifo, en kiuj oni povis facile integri la termionajn diodojn (ekzemple la duoblan diodon-triodon 12SQ7); cetere, vakutubaj kaj gasplenaj rektifiloj kapablis plenumi kelkajn taskojn de rektifado ĉe alta tensio aŭ alta kurento pli bone ol la tiutempe disponeblaj duonkonduktilaj diodoj (kiaj seleniaj rektifiloj).

Termiona

Anglalingva strukturo de vakutuba diodo. La filamento mem povas esti la katodo, aŭ — pli ofte (kiel montrite ĉi tie) — ĝi povas esti uzata por varmigi apartan metalan tubon, kiu funkcias kiel la katodo.

En 1873, Frederick Guthrie observis, ke surterigita, blankarda metala pilko, alproksimigita al elektroskopo, malŝarĝus pozitive ŝargitan elektroskopon, sed ne negative ŝargitan elektroskopon. En 1880, Thomas Edison observis unu-direktan kurenton inter varmigitaj kaj nevarmigitaj elementoj en ampolo – fenomeno poste nomita la Edison-efekto – kaj ricevis patenton por la apliko de tiu fenomeno en kontinua-kurenta voltmetro.

Ĉirkaŭ 20 jarojn poste, John Ambrose Fleming (scienca konsilisto de la kompanio Marconi kaj iama dungito de Edison) konstatis, ke la efiko de Edison estas uzebla kiel radiodetektilo. Fleming patentigis la unuan veran termionan diodon — la valvon de Fleming — en Britio la 16-an de novembro 1904 (sekvitan de usona patento n-ro 803 684 en novembro 1905). Dum la tuta epoko de vakutuboj, valvaj diodoj estis uzataj en preskaŭ ĉiuj elektronikaj aparatoj, kiel ekzemple radioj, televidiloj, sonsistemoj kaj mezuriloj. Ili iom post iom perdis merkatparton ekde la fino de la 1940-aj jaroj pro la teknologio de selenaj rektifiloj, kaj poste pro duonkonduktaj diodoj dum la 1960-aj jaroj. Nuntempe ili ankoraŭ estas uzataj en kelkaj aplikoj de alta potenco, kie ilia kapablo elteni transientajn tensiojn kaj ilia fortikeco donas al ili avantaĝon super duonkonduktaj aparatoj, kaj ankaŭ en muzikiloj kaj ekipaĵoj por aŭdiofiloj.

Duonkonduktilo

Patento de Bose de 1901

En 1874, la germana sciencisto Karl Ferdinand Braun malkovris la "unudirektan konduktadon" tra kontakto inter metalo kaj mineralo. C. E. Fitts kreis selenan kurent-rektifilon ĉirkaŭ 1886, sed lia laboro ne rezultigis praktikajn aparatojn ĝis la 1930-aj jaroj. La hinda sciencisto Jagadish Chandra Bose estis la unua, kiu uzis kristalon por detekti radioondojn en 1894, kaj li registrigis usonan patenton por la detektado de radiosignaloj per punkt-kontakta duonkondukta diodo el galena kristalo en 1901.

La kristaldetektilo estis evoluigita en praktikan aparaton por sendrata telegrafio fare de Greenleaf Whittier Pickard, kiu inventis silician kristaldetektilon en 1903 kaj ricevis patenton por ĝi la 20-an de novembro 1906. Poste li fondis firmaon por surmerkatigi kristalajn radiodetektilojn de la tipo "kat-mustaĉo"; verŝajne li estis la unua, kiu fabrikis kaj vendis komercajn siliciajn duonkonduktilajn aparatojn. Aliaj eksperimentantoj provis diversajn aliajn mineralojn kiel detektilojn (ekzemple, Henry Dunwoody ricevis patenton uzantan silician karbidon poste en 1906, kaj Wichi Torikata akiris patenton en 1908).

Kurent-tensiaj karakterizoj de galenaj kaj perikonaj kristalaj rektifiloj, ilustrantaj la nelinearan rektifan konduton uzatan en fruaj radiodetektiloj. El artikolo de Experimental Wireless (1925).

Principoj pri duonkonduktiloj estis nekonataj al la evoluigintoj de tiuj fruaj rektifiloj. Dum la 1930-aj jaroj, la kompreno pri fiziko progresis, kaj meze de tiu jardeko esploristoj ĉe Bell Telephone Laboratories rekonis la potencialon de la kristala detektilo por uzo en mikroonda teknologio. Esploristoj ĉe Bell Labs, Western Electric, MIT, Purdue kaj en Britio intense evoluigis punkt-kontaktajn diodojn (kristalajn rektifilojn aŭ kristalajn diodojn) dum la Dua Mondmilito por uzo en radaro. Post la Dua Mondmilito, AT&T uzis ilin en siaj mikroondaj turoj, kiuj trakrucis Usonon, kaj multaj radaraj aparatoj uzas ilin eĉ en la 21-a jarcento. En 1946, Sylvania ekmerkatigis la kristalan diodon 1N34. Dum la komencaj 1950-aj jaroj, oni evoluigis transirajn diodojn.

Etimologio

Pli detalaj informoj troveblas en artikolo Rektifilo.

Fruaj aparatoj por nesimetria konduktado estis ofte nomataj rektifiloj, ĉar ilia ĉefa uzo estis la konvertado de alterna kurento al kontinua kurento. En 1919, la jaro kiam oni enkondukis tetrodojn, William Henry Eccles kreis la terminon "diodo" el la grekaj vortoj di (δί), signifanta "du", kaj hodos (ὁδός), signifanta "vojon". La termino priskribis vakutubon kun du elektrodoj.

En moderna uzado, la termino "diodo" ĝenerale rilatas al aparato kun du terminaloj, kiu montras nesimetrian konduktadon. La termino "rektifikilo" estas ofte uzata pli specife por aparatoj destinitaj al transformado de elektra nutrado, dum "diodo" estas ofte uzata por aparatoj traktantaj malfortajn signalojn, kiel ekzemple detektiloj aŭ komutaj elementoj.

Simila distingo ekzistis ĉe termionaj aparatoj: malgrandaj vakuaj diodoj estis ofte uzataj kiel radiodetektiloj, dum pli grandaj dukontaktaj tuboj dezajnitaj por potencokonverto estis tipe nomataj rektifaj tuboj aŭ rektifiloj.

Vakuaj tuboj

La unuaj diodoj estis vakutuboj (ankaŭ konataj kiel termojonaj valvoj), kiuj estis aranĝoj de elektrodoj ĉirkaŭataj per vakuo ene de vitra ujo kiuj aspektis simile al lumampoloj. La aranĝo de filamento kaj plato kiel diodo estis inventita en 1904 de John Ambrose Fleming, scienca konsilisto el la firmao Marconi, surbaze de konstato de Edisono. Same kiel lumampolo, vakutubaj diodoj havas filamenton tra kiu pasas kurento, kiu hejtas la filamenton. En ĝia hejtita stato, ĝi povas emisii elektronojn en la vakuon. Tiuj ĉi elektronoj estas elektrostatike tirataj al pozitive ŝargita ĉirkaŭa metala plato nomita anodo aŭ simple plato. Elektronoj ne fluas de la plato reen al la filamento, eĉ se la ŝargo sur la plato estas negativa, ĉar la plato ne estas hejtita.

Duonkonduktaĵaj diodoj

Kvankam vakutubaj diodoj ankoraŭ estas uzataj por kelkaj specialaj aplikoj, plej multaj modernaj diodoj baziĝas sur duonkonduktaĵoj. Duonkonduktaĵa diodo konsistas el n-dopita regiono apud p-dopita regiono, kiu kreas p/n-an junton (Vidu la artikolon pri duonkonduktaĵoj por eksplikado de tiuj ĉi terminoj, aparte sub la subtitolo p/n-a junto).

La Shockley-a ekvacio pri ideala diodo (nomita omaĝe al William Bradford Shockley) povas alproksimi la I-V-ajn ecojn de p/n-a diodo:

$I=I_{S}\left({e^{qV_{D} \over nkT}-1}\right)$,

kie I estas la dioda kurento, I_S estas skala faktoro nomita satura kurento, q estas la ŝargo sur elektrono (la elementa ŝargo), k estas la Boltzmann-a konstanto, T estas la absoluta temperaturo de la p/n-a junto. La termo kT/q estas la termika tensio, foje skribita V­T­ kaj estas proksimume 26mV ĉe enĉambra temperaturo. n (foje ellasita) estas la emisia koeficiento, kiu varias de 1 al 2 depende de la fabrikada procezo.

En kutima silicia diodo, la falo en potencialo trans konduktanta diodo estas proksimume 0,6 aŭ 0,7 voltoj. La valoro malsamas por aliaj specoj de diodoj – Schottky-a diodo povas havi tiel malalte kiel 0,2 V kaj lum-emisia diodo povas havi 1,4 V aŭ pli.

Estas kelkaj specoj de duonkonduktaĵa junta diodo (Vd ĉapitron ELEKTRO II).

• Normalaj (p/n) diodoj: kiuj funkcias kiel priskribite supre.
• Zenera diodo kies konduktivecon oni povas renversi. Tiu ĉi efiko, nomita Zenera Rompiĝo , okazas ĉe precize difinita tensio, lasante la diodon esti uzata kiel preciza tensia referenco. Kelkaj aparatoj sub la nomo alt-tensiaj Zeneraj diodoj estas fakte lavangaj diodoj. (Vidu sube).
• Lavangaj diodoj: diodoj kiuj povas kondukti en la inversa direkto kiam la inversa tensio superas la rompiĝan tension. Tiuj ĉi estas elektre tre similaj al Zeneraj diodoj, kaj ofte estas erare nomataj Zeneraj diodoj, sed rompiĝo estas pro malsama mekanismo, la Lavanga Efiko: tiu ĉi okazas kiam la renversa elektra kampo trans la p/n-a junto kaŭzas ondon de joniĝado, similan al vera lavango, kiu kondukas al granda kurento. Lavangaj diodoj estas konstruitaj por rompiĝi ĉe bone difinita inversa tensio sen detruiĝo.
• Lum-emisiaj diodoj (LED): dum elektronoj transiras la junton, ili emisias fotonojn. Ĉe plej multaj diodoj tiuj ĉi resorbiĝas, kaj ne havas videblajn frekvencojn (kutime infraruĝajn). Tamen, kun la ĝustaj materialoj kaj geometrio, la lumo videbliĝas laŭ diversaj elektitaj koloroj. LED estas ankaŭ asociita kun fototransistoro en fotokuplilo, kiu permesas transferi signalojn inter du elektre izolitajn cirkvitojn.
• Fotodiodoj: tiuj ĉi havas larĝajn, travideblajn juntojn. Fotonoj povas puŝi elektronojn tra la junto, kaŭzante kurenton flui. Fotodiodoj povas esti uzataj kiel lumelektraj ĉeloj.
• Schottky-aj diodoj: tiuj ĉi havas tre malaltajn tensiajn falojn, kutime de 0,15 V ĝis 0,45 V, kio ebligas utiligi ilin en pli-povaj malgrand-tensiaj cirkvitoj.
• Klakaj diodoj: tiuj ĉi povas havi tre rapidajn tensiajn transirojn.
• Softaj diodoj: tiuj ĉi, kontraŭe al la klapaj diodoj, "softe" elŝaltas por eviti elsendon de elektromagnetaj radiadoj je tro altaj frekvencoj.
• Esaki- aŭ tunelaj diodoj: tiuj ĉi diodoj havas regionon de operacio, kiu montras la negativan rezistancon kaŭzitan de kvantuma tunelado, permesante amplifadon de signaloj kaj tre simplajn dustabilajn cirkvitojn.
• Gunnaj diodoj: tiuj ĉi diodoj estas tre similaj al tunelaj diodoj pro tio, ke ili estas fabrikataj el GaAs aŭ InP, kiuj prezentas la regionon de negativa diferenciala rezistanco. Kun ĝusta biasado, dupolusaj regionoj formiĝas kaj moviĝas tra la diodo, pro kio aperas alte frekvencaj mikroondaj osciloj.

Notado

Diodo Maldekstre: Anodo, dekstre: Katodo		Fotodiodo		Lum-eliganta diodo		Zenera diodo		Schottky-a diodo		Tunela diodo

Aliaj diodoj

Estas ankaŭ aliaj specoj de diodoj, kiuj ĉiuj havas la bazan funkcion lasi elektran kurenton flui nur en unu direkto (aŭ ambaŭ direktoj per asocio de alia junto), kaj kiuj estas produktataj per aliaj metodoj. .

• Punkt-kontakta diodo: Ĝi funkcias same kiel junta diodo priskribita supre, sed ĝia strukturo estas pli simpla. Bloko de n-tipa duonkonduktaĵo kaj kondukta pinta konduktilo faritaj el grup-3-a metalo, kiu kontaktas la duonkonduktaĵon. Ili jam ne tre multe estas uzataj kaj eĉ antaŭe ne estis popularaj por analogaj aplikaĵoj pro alta bruo kaj nelineareco.
• Tuba diodo: Ĝi estas la plej simpla speco de vakutuba aparato. Elektronoj moviĝas en vakuo de hejtita metala surfaco kovrita per baria oksido (barito). Post kiam ili estas for de la surfaco, ili povas esti altiritaj al pozitive ŝargita malvarma surfaco (anodo). Tamen, elektronoj ne facile forlasas malvarman nekovritan surfacon se la polareco renversiĝas kaj tiel iu ajn trafluo estas tre malgranda. Ili estis arkaikaj por la 21-a jarcento, sed tra la 20-a jarcento estis multe uzataj en analogaj signalaj aparatoj, elektraj maŝinoj, kaj (proksimume de 1950 ĝis 1960) por cifereca elektronika logiko.
• Gas-malŝarga diodo: Aparato, kie estas du elektrodoj en ia speco de gaso. Unu elektrodo estas tre akre pinta. La alia havas glatan sed kurban surfacon. Kiam forta negativa potencialo estas aplikata al la akra elektrodo, la elektra kampo proksima al la akra pinto sufiĉas por kaŭzi elektran malŝargon en la gason kaj kurento fluas. Se la mala potencialo aplikiĝas, la elektre kampa forteco ĉirkaŭ la glata elektrodo ne sufiĉas ekigi malŝargon. (La malŝargo povas nur eki facile ĉe la negativa fino, ĉar elektronoj estas multe pli moviĝemaj ol pozitivaj jonoj.) Tiutipaj diodoj estas foje uzataj por alt-tensia alt-kurenta rektifado ĉe elektre fontaj aplikaĵoj.
• Dinistoro: Kvartavola diodo, havante „pnpn” strukturon. Sub malalta tensio la rezistanco estas tre alta malpermesante fluo de kurento, sed preter iu sojla tensio, lavanga fenomeno okazas, kaj kurento trafluas la dinistoron, kiu sintenas kiel normala diodo.
• Diako (diodo por alterna kurento): Estas du dinistoroj kontraŭdirekte kaj paralele konektitaj en komuna kristalo, ili kondukas do kiam la absoluta valoro de la tensio superas sojlan tension. Tio ĉi rezultigas du-direktan "diodan" elektran ŝaltilon, kie la kurento povas flui en ambaŭ direktoj tiam, kiam ĝi ekagiĝis (ŝaltis). Ne tre altpovaj diakoj estas uzataj.
• SCR aŭ silicia regita rektifilo: Diodo kiu ne konduktas ĝis ĝi "ekagiĝas" per aplikado de tre malgranda tensio, kutime inter 1 kaj 20 V, al sia "pordo" (klapo). Depost ekagiĝo, ĝi nur fermiĝas per ĉeso de la kurenta fluo tra si. SCR-oj estas utilaj por regado de A.K. (alterna kurento), ĉar ili ĉesas kondukti aŭtomate en la momento kiam la kurento falas ĝis nulo, je ĉiu duono de ciklo, kaj tiam povas esti ekagigita refoje. Ili estas fabrikataj kun etendo de grandoj kun pov-traktaj kapacitoj de kelkaj vatoj ĝis dekoj da megavatoj.
• Triako (triodo por alterna kurento): Estas du SCR-oj, kiuj estas kunigitaj kontraŭdirekte laŭ paralela konekto en komuna kristalo, dum iliaj pordoj estas ankaŭ konektitaj. Tio ĉi rezultigas du-direktan "diodan" regitan ŝaltilon, kie la kurento povas flui en ambaŭ direktoj tiam, kiam ĝi ekagiĝis (ŝaltis). Ne tre altpovaj triakoj estas uzataj, sed precipe en elektraj aparatoj.
• Varikapo aŭ variaktoro: Tiuj diodoj estas uzataj kiel tensie regataj kondensiloj.
• Lasera diodo, same kiel lum-eliganta diodo, elsendas lumon per rekombinado de elektroj kaj breĉoj en la bara zono de la diodo. Diference al ordinaraj lumdiodoj la lum-elsendo estas stimulata de la lumo mem, tiel ke elsendiĝas kohera lumo. Por atingi tion, lasera diodo havas tri zonojn dopitajn laŭ la skemo n–p–p⁺. Tiuj zonoj havas malsaman refrakton, tiel ke la limoj inter la tri zonoj efikas kiel speguloj, kiuj kaptas la elsenditan lumon inter si. Tiel la fotonoj de la lumo stimulas la elektronojn kaj breĉojn en la duonkonduktaĵo al elsendo de pliaj samfazaj, samfrekvencaj fotonoj, ekestas kohera radiado.

Por havi laŭeble grandan diferencon de la refraktaj indicoj inter la zonoj oni kutime uzas por laseraj diodoj galiumon kaj aluminion. Kiam la kurento tra la diodo transiras sojlon de inter 20 kaj 30 mA, komenciĝas la radiado. La preciza valoro de la sojlo dependas de la modelo. Laseraj diodoj uzatas ekzemple en legiloj-skribiloj por lumdiskoj.

• Por altaj tensioj (> 50 V) kaj kurentoj (> 1 A) uzeblas PiN-diodoj, kiuj inter la p-zono kaj la n-zono havas "internan" i-zonon el ne dopita, do normale izola duonkonduktaĵo, kies izoleco altigas la rompan tension de la diodo. En la kondukta direkto la dopitaj zonoj sendas ŝargoportaĵojn en la i-zonon kaj igas ĝin konduktiva. En la inversa direkto la ŝargoportaĵoj foriras de la i-zono, kaj ĝi restas izola.

Vidu ankaŭ

• Duonkonduktanto
• Fotodiodo
• Tiristoro
• Transistoro

Bibliografio

Historiaj libroj pri cirkvitoj

• 50 Simple LED Circuits; unua eldono; R.N. Soar; Babani Press; 62 paĝoj; 1977; (ISBN 978-0859340434). (archive)
• 38 Practical Tested Diode Circuits For the Home Constructor; unua eldono; Bernard Babani; Krisson Printing; 48 pages; 1972. (arkivo)
• Diode Circuits Handbook; unua eldono; Rufus Turner; Howard Sams & Co; 128 paĝojs; 1963; LCCN 63-13904. (archive)
• 40 Uses for Germanium Diodes; dua eldono; Sylvania Electric Products; 47 pages; 1949. (arkive)

Historiaj periodaĵoj

• Rectifier Applications Handbook; On Semiconductor; 270 paĝoj; 2001. (archive)
• Silicon Rectifier Handbook; unua eldono; Bob Dale; Motorola; 213 paĝoj; 1966. (arkive)
• Electronic Rectification; F.G. Spreadbury; D. Van Nostrand Co; 1962.
• Zener Diode Handbook; International Rectifier; 96 pages; 1960.
• F.T. Selenium Rectifier Handbook; dua eldono; Federal Telephone and Radio; 80 pages; 1953. (archive)
• S.T. Selenium Rectifier Handbook; unua eldono; Sarkes Tarzian; 80 paĝoj; 1950. (archive)

Historiaj datumlibroj

• Discrete Databook; 1989; National Semiconductor (nun Texas Instruments)
• Discrete Databook; 1985; Fairchild (nun ON Semiconductor)
• Discrete Databook; 1982; SGS (nun STMicroelectronics)
• Semiconductor Databook; 1965; Motorola (nun ON Semiconductor)